TiO2 Ara Katmanli Si-Tabanli Heteroeklemin Dielektrik Karakterizasyonu

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorKarabulut, Abdulkerim
dc.date.accessioned2025-03-23T18:55:25Z
dc.date.available2025-03-23T18:55:25Z
dc.date.issued2018
dc.departmentSinop Üniversitesi
dc.description.abstractBu çalismada, Al/TiO2/p-Si/Al heteroeklemi üretildi ve bazi elektrik ve dielektrik karakteristikleriarastirildi. TiO2 arayüzey katmaninin sentezlenmesi için yüzey düzgünlügü ve kararliligi gibi sahip oldugu baziavantajlardan dolayi atomik katman kaplama teknigi kullanildi. Elektriksel ve dielektrik karakteristiklerininbelirlenmesi için, oda sicakliginda, -1 ile +1 V beslem voltaji ve 10 kHz-1MHz frekans degerleri araliklarindaempedans spektroskopisi ölçümleri yapilmistir. Elektriksel parametreler olarak arayüzey halleri dagilimi ve seridirenç degerleri belirlenmistir. Bunlara ek olarak, dielektrik kaybi ve katsayisi, elektriksel modülün gerçek veimajiner kismi ve AC elektrik iletkenligi gibi dielektrik parametrelerin frekansa ve voltaja güçlü bir sekilde baglioldugu bulunmustur. Elektrik ve dilelektrik karakteristikler üretilen aygitin arayüzey halleri ve polarizasyondegerlerinin düsük frekanslarda AC sinyalini takip edebildigini göstermektedir.
dc.description.abstractIn this study, Al/TiO2/p-Si/Al heterojunction is fabricated and investigated some electrical and dielectriccharacteristics. Atomic layer deposition technique was used for synthesize of TiO2 interfacial layer due to the someadvantages such as uniformity and stability of surface. For determining electrical and dielectric characteristics,impedance spectroscopy measurements were performed in range from -1 to +1 V bias voltages and 10 kHz-1MHzfrequency range at room temperature. As an electrical parameters, interface states distribution and series resistancevalues was determined. In addition to these, it is found that the dielectric properties such as dielectric loss andconstant, real and imaginary parts of electric modulus, loss tangent and AC electric conductivity values wasdepended on frequency and voltage strongly. The electrical and dielectric characteristics show that interface statesand polarization values of fabricated device can follow AC signal at low frequency values.
dc.identifier.endpage129
dc.identifier.issn2536-4618
dc.identifier.issue3
dc.identifier.startpage119
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11486/2521
dc.identifier.volume8
dc.institutionauthorKarabulut, Abdulkerim
dc.language.isoen
dc.publisherIgdir Üniversitesi
dc.relation.ispartofJournal of the Institute of Science and Technology
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_DergiPark_20250323
dc.subjectDielektrik özellikler
dc.subjectTiO2
dc.subjectMIS yapi
dc.subjectatomik katman kaplama (ALD)
dc.subjectatomik katman kaplama (ALD)
dc.titleTiO2 Ara Katmanli Si-Tabanli Heteroeklemin Dielektrik Karakterizasyonu
dc.title.alternativeDielectric Characterization of Si-Based Heterojunction with TiO2 Interfacial Layer
dc.typeArticle

Dosyalar

Koleksiyon

Öksüz Yayınları